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光伏电池材料第一次形考任务答案
多晶硅属于（） 体心立方结构面心立方结构简单立方结构金刚石结构
二元相图通常采用（）的坐标系。 压强-浓度（p-x）图温度-浓度（T-x）图温度-压力（T-p）图三棱柱模型
根据晶胞外形即极边长度之间的关系和晶轴之间的夹角情况，而不涉及晶胞中原子的具体排列情况，可将所有晶体分成（）个晶系，（）种布拉菲点阵。 7、145、106、1210、20
关于二氧化硅以下说法错误的是（） 制造冶金硅的主要原料之一能与HF反应SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快石英是地壳中分布很少的矿物
关于硅单质说法错误的是（）。 在常压下具有金刚石型结构原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体熔点为1420℃，沸点为2355℃具有类似金属的塑性
关于硅的化学性质说法错误的是（）。 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应硅单质在常温下化学性质十分稳定硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
关于四氯化硅以下说法错误的是（） 无色而有刺鼻气味的液体熔点-70℃，沸点57.6℃不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
关于位错密度说法错误的是（）。 也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目是单位体积晶体中所包含的位错线总长度通常情况下制得位错密度较小的材料位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳
观察晶体中位错最简单的方法是（）。 透射电镜法手触感觉法浸蚀观察法肉眼观察法
硅晶体的解理面有（） {112}晶面和{110}晶面{111}晶面和{100}晶面{111}晶面和{110}晶面{110}晶面和{100}晶面
面心立方结构晶胞中的原子数为（） 48141
漂晶现象的原因在于（）。 籽晶太小过冷度太大杂质太多液面上这些位置不能保持正驱动力
室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。 3201
西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（） P型硅半导体99.9999%（6个9）的为太阳能级硅99.999999999%（11个9）的为电子级硅95%-99%的冶金级硅
下列属于面缺陷的是（） 位错空洞空位晶界
液态水、冰、水蒸气共存时，独立组元数为（）。 2310
一般热处理时的原子扩散主要与（）有关 以上都不是位错空位晶界
以下（）不是自然界中的硅同位素。 30Si29Si32Si28Si
杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（） 置换原子位错空位间隙原子
正温度梯度与负温度梯度相比，（）。 正温度梯度是指液相温度随离液-固界面的距离增大而降低负温度梯度有利于完整晶体的生长正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制正温度梯度容易产生枝晶生长
不能用于区分晶体与非晶体的是（） 密度的大小熔点的高低是否具有确定的熔点原子排练是否有序
采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是（）。 在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀由于组分过冷引起晶体的网络结构等晶体成分偏离理想配比引起点缺陷
关于白炭黑说法准确的是（）。 白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的非常细小颗粒和极大的表面积具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应硅氧烷橡胶里的主要增强填料
关于单晶硅的晶体结构说法正确的是（）。 硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体
关于点缺陷说法错误的是（）。 点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行点缺陷使得滑移更容易进行空位越多，晶体的密度越低金属中的点缺陷增加了电阻
关于固溶体与中间相说法错误的是（）。 Cu-Ni合金属于中间相形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相固熔体一般具有较高的熔点及硬度某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体
关于硅的电阻率说法错误的是（）。 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
关于硅的卤化物说法错误的是（）。 熔点、沸点都比较低都是共价化合物都是无色的一般都是无毒的
关于晶体的宏观表面说法正确的是（）。 表面最活跃的位置是台阶的边缘处从原子的尺度来看，十分粗糙而凹凸不平宏观表面一般与原子密排面平行宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成的
关于临界晶核说法错误的是（）。
临界半径与过冷度ΔT无关
晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大
均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同
当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失
关于三氯氢硅说法正确的是（）。 可由硅粉与氯化氢合成而得可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅熔点-128℃，沸点31.5℃无色透明液体
关于石英说法错误的是（）。 与晶体硅一样是原子晶体由一个个的简单SiO2分子组成每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元石英砂开采、加工成本较低
关于位错的观察，说法正确的是（）。 浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形晶体内部位错无法浸蚀观察位错密度很大的晶体也能浸蚀观察
硅在自然界主要以（）形式存在。 石英砂硅单质硅酸盐白炭黑
解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。 {110}{111}{100}{120}
金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。 8、88、412、44、4
两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。
大角度晶界
刃位错
亚晶界
小角度晶界
热力学平衡条件包括（）。 相平衡热平衡浓度平衡力学平衡
下列不属于面缺陷的是（）。 表面气孔间隙原子相界
下列属于晶体的宏观特性的有（） 长程有序解理性各向异性固定熔点
柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。
点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。
硅晶体的半导体性源于共价键。
硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。
硅烷就是甲硅烷。
硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。
滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。
甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。
可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。
内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。
平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。
普通玻璃是无定形二氧化硅。
刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。
水晶是石英的单晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体。
一氧化硅是硅和二氧化硅的均匀混合物在低压下加热到1450K以上生成的挥发性物质。
有些杂质即使在硅中含量超过1015cm-3，也不会对电池的转换效率产生明显影响。
在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。
在常温下硅对多数酸是稳定的。
在常温下硅能与稀碱溶液反应。
在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。
将各类晶体缺陷与实例一一对应。
（1）点缺陷 一一[[2]]
（2）线缺陷 一一[[1]]
（3）面缺陷 一一[[3]][[1]] -> {A. 位错 / B. 空位 / C. 相界}
将各种硅化合物与描述一一对应。
（1）二氧化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[1]]
（3）四氯化硅 一一[[3]][[1]] -> {A. 沸点31.5℃，室温下无色透明液体 / B. 可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到 / C. 在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾}
将各种硅化合物与熔沸点一一对应。
（1）四氯化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[3]]
（3）甲硅烷 一一[[1]][[1]] -> {A. 熔点-185℃，沸点-111.8℃ / B. 熔点-70℃，沸点57.6℃ / C. 熔点-128℃，沸点31.5℃}
将各种硅化合物与作用一一对应。
（1）二氧化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[1]]
（3）甲硅烷 一一[[3]][[1]] -> {A. 可作为西门子法提纯硅材料的中间产物 / B. 制造冶金硅的主要原料之一 / C. 大量地用于制高纯硅，高温易热解}
将硅材料与描述一一对应。
（1）电子级硅 [[2]]
（2）冶金级硅 一一[[3]]
（3）太阳能级硅 一一[[1]][[1]] -> {A. 99.9999% / B. 99.999999999% / C. 95%-99%}
将硅的用途与性质一一对应。
（1）二极管 一一[[3]]
（2）集成电路 一一[[1]]
（3）光电池 一一[[2]][[1]] -> {A. 通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路 / B. 可以把光能转化成电能 / C. 制成晶体二极管后即能整流又能检波}
将晶体的特性与解释一一对应。
（1）各向异性一一 [[3]]
（2）长程有序 一一[[2]]
（3）解理性 一一[[1]][[1]] -> {A. 晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质 / B. 粒子排列具有三维周期性、对称性 / C. 在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等}
将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。
（1）简单立方结构 一一[[3]]
（2）体心立方结构 一一[[2]]
（3）面心立方结构 一一[[1]][[1]] -> {A. 4 / B. 2 / C. 1}
将晶体生长方式与实例一一对应。
（1）固相生长 一一[[3]]
（2）液相生长 一一[[2]]
（3）汽相生长 一一[[1]][[1]] -> {A. 水汽凝结为冰晶 / B. 盐水溶液结晶 / C. 石墨在高温高压的条件下转变为金刚石}
将相图与特点一一对应。
(1)匀晶相图一一[[1]]
(2)共晶相图一一[[2]]
(3)包晶相图一一[[3]]
[[1]] -> {两组元在液态、固态都无限互溶 / L→α+β / L+α→β}
光伏电池材料第二次形考任务答案
（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。 冶金法二氧化硅高纯试剂还原法改良西门子法四氯化硅金属还原法
代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。 0.20％、0.20％、0.05％以上都不对0.20％、0.05％、0.20％0.05％、0.20％、0.20％
对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。 节约时间节能降低物耗减少污染
改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。 吸附精馏区域提纯物理提纯法
工业硅加工产品的附加值最高的是（）。 有机硅生产生产合金生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池以上皆不是
关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（） 取决于温度效果显著取决于硼的含量效果一般完全去除几乎无法效果去除
关于分子筛说法错误的是（）。 也叫合成沸石分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面具有极性对非极性分子具有较强的亲和力
硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。
SiO2+3C=SiC+2CO↑
无化学反应，仅为预热
SiO2+2SiC=3Si+2CO↑
2SiO2+SiC=3SiOuarr;+CO↑
金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。 {111}面{110}面{100}面{101}面
晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。 原生长缺陷二次缺陷点缺陷诱生缺陷
区熔法制备单晶硅时，需要（）。 需要一个石英坩埚用于溶化需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚不需要坩埚需要一个石墨坩埚
生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。 氧气低压的空气低压的氮气氢气低压的氩气常压的空气
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。 杂质原子位错空位二次缺陷
微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。 前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
吸附时不发生任何化学变化，是（）。 物理吸附以上皆不是化学吸附不可逆过程
在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。 只有熔炼过程中生成的SiC底下是SiC，其上面是产品工业硅全部都是产品工业硅以上皆不是
占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。 原生长缺陷替位杂质原子本征点缺陷间隙杂质原子
CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
Dash工艺主要解决的是（）。 热应力减少缺陷（位错）加入转晶放肩
大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。 方便安装防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险降低成本
工业硅生产过程中，要注意的是（）。 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度及时捣炉，帮助沉料保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比
工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。 具有较大的内表面，吸附容量大具有一定的机械强度，抗磨损有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀选择性高
关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。 生长时都需借助要采用籽晶都需要采用真空气氛保护都需要使用缩颈工艺熔化时都需要采用坩埚
关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。 放热反应吸热反应温度升高后反而将影响产品收率要加热到所需温度才能进行
关于晶转说法正确的是（）。 过高的晶转会使固液界的形状太凹在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性吊索和晶体出现共振时效果最好
关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。 被两条曲线分为三个区域升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线
关于SiO说法正确的是（）。 SiO很容易发生化学反应温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到能在1500℃与C发生反应能与氧气发生反应
硅烷法的特点是（）。 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅硅烷气体易于用吸附法提纯易于分解为非晶硅硅烷易爆炸
化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。 中间化合物的分离提纯中间化合物的合成中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅区域提纯
晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。 点缺陷的产生点缺陷分解点缺陷的复合点缺陷的扩散
具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
{211}〈211〉晶面族晶向
{100}<110>晶向晶面族
〈210〉晶向{110}晶面族
{111}晶面族〈111〉晶向
磷在硅中很容易去除，在于（）。 磷的密度小磷在硅中的分配系数小于1磷在硅熔液中很快得到蒸发磷的熔点低
石墨坩埚的寿命取决于（）。 石墨坩埚的形状在晶体生长过程中的受热程度承受的重量石墨的材质
位错影响说法正确的是（）。 刃型位错也可能作为一排受主位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心位错能够改变载流子浓度刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
无坩埚区域提纯（）。 也可用于晶体生长硅也能采用水平区域提纯法避免了坩埚的污染熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发物理．吸附的进行吸附是可逆的脱咐的进行物理吸附是不可逆的
由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度熔体稳定晶体直径大对多晶形状要求低
直拉单晶炉的主室包括（）。 热绝缘筒和地盘石墨加热器石墨坩埚石英坩埚
CZ法产生位错的环节和方式有（）。 籽晶中的位错延伸、增殖晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力籽晶表面损伤、机械磨损裂痕单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。
从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。
单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。
分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。
改良西门子法的原料主要是硅石。
改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。
改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。
硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。
化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。
化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。
甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。
精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。
由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。
FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。
MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。
SiH4不能采用精馏技术进行提纯
将工业硅的应用与用量一一对应。
（1）生产合金 一一[[3]]
（2）有机硅 一一[[2]]
（3）半导体器件和太阳能电池 一一[[1]]
[[1]] -> {A. 5% / B. 40% / C. 55%}
将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比 一一[[3]]
（2）保证反应区有足够高的温度 一一[[2]]
（3）及时捣炉，帮助沉料 一一[[1]]
[[1]] -> {A. 避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO / B. 分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行 / C. 防止过多的SiC生成}
将工艺与提纯方法一一对应。
（1）硅烷法 一一[[2]]
（2）改良西门子法 一一[[1]]
（3）冶金 一一[[3]]
[[1]] -> {A. 精馏 / B. 吸附 / C. 物理提纯}
将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
（1）红外散射缺陷（LSTDs）一一[[3]]
（2）流水花样缺陷（FPDs）一一[[2]]
（3）晶体原生颗粒缺陷（COPs）一一[[1]]
[[1]] -> {A. 随着拉速的增加而增加 / B. 过饱和空位凝聚而成的空位团 / C. 拉速越慢，LSTDs密度越低}
将化学反应与作用一一对应。
（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl 一一 [[3]]
（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2 一一 [[1]]
（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑ 一一 [[2]]
[[1]] -> {A. 中间产物的合成 / B. 工业硅的合成 / C. 中间产物的还原}
将吸附的设备与工艺一一对应。
（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内 一一[[3]]
（2）固定吸附床 一一[[1]]
（3）移动吸附器 一一[[2]]
[[1]] -> {A. 半连续操 / B. 连续操作 / C. 间歇操作}
将氧的存在方式及其描述一一对应。
（1）热施主 一一[[2]]
（2）新施主 一一[[1]]
（3）氧沉淀 一一[[3]]
[[1]] -> {A. 热处理温度处于550～850℃ / B. 处理温度处于300～500℃ / C. 适当的温度下进行热处理时会脱溶}
将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）B 一一[[3]]
[[1]] -> {A. 1.25 / B. 0.07 / C. 0.8}
将Cz法中的工艺与描述一一对应。
（1）缩颈生长 一一[[1]]
（2）放肩生长 一一[[3]]
（3）等径生长 一一[[2]]
[[1]] -> {A. 减少位错 / B. 硅片取材的部位 / C. 肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率}
将Cz法中的设备与描述一一对应。
（1）石英坩埚 一一[[3]]
（2）石墨坩埚 一一[[1]]
（3）石墨加热器 一一[[2]]
[[1]] -> {A. 底部比较厚，以起到较好的绝热效果 / B. 电阻会随着使用次数的增加而升高 / C. 纯度和耐热性能要求很搞}
将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）N 一一[[3]]
[[1]] -> {A. 危害大 / B. 浓度低，影响小 / C. 增强机械性能}
光伏电池材料第三次形考任务答案
单晶硅片的电阻率一般控制在（）。
2～4·cm左右
1～3·cm左右
0.5～2·cm左右
0.1～0.3·cm左右
电磁铸锭法说法错误的是（）。 熔体与坩埚不直接接触硅锭中晶粒较细小电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀较少晶体缺陷
硅的熔点约为（）。 800℃1420℃2200℃1200℃
硅片切割中的碎料可用于（）。 铸造多晶硅直拉单晶硅区熔单晶硅填坑
硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。 PH3PH5POCl3B2O3
目前常用的多晶硅铸锭炉单炉产量约为（）。 450kg1000kg100kg250kg
目前最常用的硅片的尺寸为（）。 210mm×210mm156mm×156mm125mm×125mm100mm×100mm
热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。 是否需要水冷成本能耗坩埚与热源的相互运动情况
少子寿命的物理意义是（）。 以上都不对非平衡少数载流子复合所需要的平均时间非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。 以上都不对8～153000%18～40
太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。 400～500um300～400um200～300um100～150um
氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。 1×107～1×108cm-31×1020～1×1021cm-31×1012～1×1013cm-31×1017～1×1018cm-3
一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。 35～45h55～65h25～35h15～25h
用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。 X射线法整流法四探针法显微镜观察法
铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。
1mm左右
10cm左右
10mm左右
100μm左右
铸造多晶硅现在通称为（）。 fz-Sicz-Si以上都不对mc-Si
铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。 热交换法布里奇曼法浇铸法电磁铸锭法
铸造多晶硅中的晶体掺杂可采用（）。 BH3PH3BB2O3
最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。 四探针法范德堡法扩展电阻法两探针法
PCD方法可用于测量（）。 少子寿命电阻率曲翘度平整度
大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。 方便安装降低成本防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险
工业硅生产过程中，要注意的是（）。 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度及时捣炉，帮助沉料及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体
工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。 具有一定的机械强度，抗磨损有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀选择性高具有较大的内表面，吸附容量大
关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。 生长时都需借助要采用籽晶都需要使用缩颈工艺都需要采用真空气氛保护熔化时都需要采用坩埚
关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。 放热反应要加热到所需温度才能进行温度升高后反而将影响产品收率吸热反应
关于晶转说法正确的是（）。 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性吊索和晶体出现共振时效果最好过高的晶转会使固液界的形状太凹
关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。 被两条曲线分为三个区域降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线
关于SiO说法正确的是（）。 SiO很容易发生化学反应能在1500℃与C发生反应温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到能与氧气发生反应
硅烷法的特点是（）。 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅硅烷气体易于用吸附法提纯硅烷易爆炸易于分解为非晶硅
化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。 中间化合物的合成中间化合物的分离提纯区域提纯中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。 点缺陷的产生点缺陷的扩散点缺陷分解点缺陷的复合
具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
〈210〉晶向{110}晶面族
{100}<110>晶向晶面族
{111}晶面族〈111〉晶向
{211}〈211〉晶面族晶向
磷在硅中很容易去除，在于（）。 磷的密度小磷的熔点低磷在硅熔液中很快得到蒸发磷在硅中的分配系数小于1
石墨坩埚的寿命取决于（）。 在晶体生长过程中的受热程度石墨坩埚的形状承受的重量石墨的材质
位错影响说法正确的是（）。 刃型位错也可能作为一排受主刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子位错能够改变载流子浓度位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
无坩埚区域提纯（）。 硅也能采用水平区域提纯法熔硅不会流动是由于其很大的表面张力避免了坩埚的污染也可用于晶体生长
以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发物理．吸附的进行吸附是可逆的脱咐的进行物理吸附是不可逆的
由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度晶体直径大对多晶形状要求低熔体稳定
直拉单晶炉的主室包括（）。 热绝缘筒和地盘石墨坩埚石墨加热器石英坩埚
CZ法产生位错的环节和方式有（）。 籽晶中的位错延伸、增殖籽晶表面损伤、机械磨损裂痕晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。
多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。
多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。
硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。
硅片切割得越薄，切割损耗也越多。
国内还不能生产铸造多晶硅的铸锭炉。
浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。
目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。
热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。
如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。
太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。
通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。
一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。
影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。
与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。
在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。
直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。
铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。
铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。
将测试方法与作用一一对应。
（1） 整流法 一一[[3]]
（2）四探针法 一一[[2]]
（3）光电导衰退法 一一[[1]][[1]] -> {A. 少子寿命 / B. 电阻率 / C. 导电型号}
将各工艺与能耗一一对应。
（1）区熔单晶硅 一一[[3]]
（2）直拉单晶硅 一一[[2]]
（3）铸造多晶硅 一一[[1]][[1]] -> {A. 8～15 kWh/Kg / B. 18～40 kWh/Kg / C. 30 kWh/Kg}
将各种硅生产工艺与特点一一对应。
（1）mc-Si 一一[[3]]
（2）cz-Si 一一[[2]]
（3）fz-Si 一一[[1]][[1]] -> {A. 生产成本最高 / B. 对硅料的要求一般 / C. 转换效率一般最低}
将硅片参数与作用一一对应。
（1）BOW 一一[[1]]
（2）TTV 一一[[3]]
（3）TIR 一一[[2]][[1]] -> {A. 弯曲度 / B. 平整度的一种量度 / C. 总厚度偏差}
将硅中的各种元素与影响一一对应。
（1）B 一一[[3]]
（2）O 一一[[1]]
（3）H 一一[[2]][[1]] -> {A. 危害较大 / B. 有钝化效果 / C.特意加入，形成掺杂}
将化学反应与作用一一对应。
（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 一一[[1]]
（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O 一一[[3]]
（3）Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑ 一一[[2]][[1]] -> {A. 去除硅表面的致密保护膜 / B. 碱腐蚀 / C. 酸腐蚀}
将抛光工艺与描述一一对应。
（1）机械抛光法 一一[[2]]
（2）化学抛光法 一一[[3]]
（3）化学－机械抛光法 一一[[1]][[1]] -> {A. 现代半导体工业中普遍应用 / B. 采用细磨料颗料 / C. 硝酸与氢氟酸混合腐蚀液}
将清洗时试剂与作用一一对应。
（1）无机酸 一一[[1]]
（2）有机溶剂 一一[[3]]
（3）过氧化氢 一一[[2]][[1]] -> {A. 去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质 / B. 对一些难溶物质转化为易溶物质 / C. 相似相溶}
将吸杂工艺与描述一一对应。
（1）磷吸杂 一一[[1]]
（2）铝吸杂 一一[[3]]
（3）磷-铝共吸杂 一一[[2]][[1]] -> {A. 去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除 / B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化 / C. 除杂效果最佳}
将制备方法与描述一一对应。
（1）布里曼法 一一[[1]]
（2）热交换法 一一[[2]]
（3）浇铸法 一一[[3]][[1]] -> {A. 坩埚需升降 / B. 固液界面比较平稳 / C. 熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行}
光伏电池材料第四次形考任务答案
大π键说法正确的是（）。
双键包含一个π键
三键包含一个π键
有机分子中肯定有
苯环上6个碳原子各有1个未参加杂化的2p轨道，它们垂直于环的平面，并从侧面相互重叠而形成一个闭合的π键。
二氧化钛的几种晶体结构中最适合用于太阳电池的是（）。 锐钛矿金红石都差不多板钛矿
非晶硅薄膜的厚度约为（）。 数十微米数百微米数十毫米数百纳米
非晶硅的沉积温度为（）。 900～1300℃500～700℃100～300℃1000～1400℃
非晶硅的禁带宽度为（）。 2.12eV1.6eV1.5eV，并且在一定程度上可调1.12eV
非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。 104℃/s105℃/s103℃/s102℃/s
非晶硅的PIN结构的P部分是采用（）形成的。 SiH4加PH3SiH4加BH3PH3加BH3SiH4加B2H6
非晶硅太阳电池的转换效率约为（）。 5%20%10%15%
非晶硅最常用的生产方法是（）。 热丝化学气相沉积光化学气相沉积辉光放电分解气相沉积溅射气相沉积
关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（）。 最大限度的与电解质紧密接触晶粒越大越好尽可能多的吸附染料高的比表面积和大量的孔隙
锐钛矿相二氧化钛晶体的禁带宽度为（）。 3.2eV3.0eV2.8eV2.2eV
通常有机半导体中的导电电子是指（）。
Σ电子
π电子
离域π电子
离域Σ电子
铜铟镓硒薄膜太阳电池的禁带宽度（）。 3.16eV0.97eV2.1eV1.02~l.67eV范围内可调
铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率的记录（）。 19.40%25%16.70%10.10%
以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（）。 微晶硅薄膜多晶硅非晶硅薄膜铜铟镓硒
铟储量最多的国家是（）。 中国日本美国俄罗斯
与光致衰减效应联系最紧密的元素是（）。 OCBH
a-Si指（）。 微晶硅多晶硅单晶硅非晶硅
PECVD所使用的主要原料是（）。 SiHCl3SiO2SiSiH4
PECVD主要利用的是（）区域。 正离子柱区法拉第暗区阳极辉光阴极辉光
常用的多晶硅薄膜的制备方法有（）。 非晶硅晶化制备将多晶硅片切薄利用化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜对多晶硅片进行热处理
对多晶硅薄膜的研究重点目前主要有（）。 制备电池的工艺和方法，以便选用低价优质的衬底材料如何在廉价的衬底上，能够高速、高质量地生长多晶硅薄膜掺杂气体的选择热处理温度的选择
二氧化钛的晶体结构有（）。 板钛矿金刚石锐钛矿金红石
非晶硅晶化制备多晶硅薄膜的途径有（）。 快速热处理晶化激光热处理晶化金属诱导固相晶化固相晶化
非晶硅太阳电池成本低原因在于（）。 非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度可柔性化制备是在低温下进行廉价的衬底材料
非晶硅太阳电池的多品种和多用途在于（）。 只要改变原材料的气相成分或者气体流量，便可使非晶硅薄膜改性色彩鲜艳根据器件功率、输出电压和输出电流的要求，可以自由设计制造厚度低
非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。 材料和制造工艺成本低易实现柔性电池具有S-W效应易于形成大规模生产能力以及大面积化生产
关于光致衰减效应说法正确的是（）。 铸造多晶硅没有光致衰减在长期辐照下，其光电导和暗电导同时下降，导致光电转换效率降低简称S-W效应在150～200℃热处理又可以恢复原来的状态
关于D/A界面说法正确的是（）。 具有大电子亲和能（EA）的材料被称为作电子受主，相当于无机半导体中的P型材料电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主，相当于无机半导体中的N型材料D/A界面处D型材料和A型材料存在能级差类似于无机太阳电池中的PN结
化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜的方法有（）。 热丝化学气相沉积制备多晶硅低压化学气相沉积制备多晶硅非晶硅晶化制备多晶硅薄膜等离子增强化学气相沉积
辉光放电系统中的I-V特性曲线可分为（）阶段。 电弧放电异常放电汤森放电正常放电
可用于多孔纳米晶薄膜的材料有（）。 TiO2SnO2ZnOAl2O3
染料敏化太阳电池的基本结构包括（）。 电解质对电极染料敏化剂多孔纳米晶薄膜
染料敏化太阳电池优点有（）。 较低的成本可制得柔性器件很好的装饰功能简单的制备工艺
铜铟镓硒薄膜的制备方法有（）。 电沉积印刷法后硒化多元分步蒸发
旋涂成膜存在的问题有（）。 溶解性溶剂残留薄膜的均匀性难以保证挥发性
有机半导体薄膜成膜技术包括（）。 丝网印刷技术有机气相沉积法真空热蒸发沉积旋转涂层法
有机太阳电池产生电流的流程（）。 运输到D/A界面处电子空穴分离产生激子吸收光子
有机太阳电池的层状三明治叠层结构包括（）。 负电极透明衬底正电极有机半导体薄膜层
有机太阳电池基本的结构模型有（）。 双层异质结结构单层同异质结结构PIN结构单层混合膜异质结结构
苝衍生物是一种应用较多的光敏剂和A型材料，在450到600nm波段内具有较强的吸收，在光照条件下稳定性好，成本低。
单晶硅与多晶硅的物理特性是各向异性，而非晶硅的物理特性是各向异性
碲的材料供应可能会成为碲化镉薄膜太阳电池的材料瓶颈。
非晶硅材料与晶体材料不同之处在于它的原子结构排列不是长程有序。
非晶硅的结构决定了它的物理性质也是具有各向同性的。
非晶硅是间接带隙结构。
非晶硅太阳电池生产出来以后，转换效率不会随时间发生改变。
非晶硅太阳电池中也存在晶体硅太阳电池中一样的pn节结构。
高纯硅原料价格增加，对薄膜太阳电池的成本影响不大。
晶体硅太阳电池和非晶硅太阳电池都可以做成柔性太阳电池。
晶体硅与非晶硅薄膜太阳电池都是间接带隙结构，而铜铟镓硒太阳电池是直接带隙结构。
随着非晶硅中氢含量的增加，其能隙宽度从1.5eV可以增加到1.8eV。
酞菁类化合物是典型的D型有机半导体。
铜铟镓硒具有高达6*10cm-l的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最低值。
一般而言，衬度温度在200～300℃，功率在300～500W/m2时，比较适宜制备非晶硅。
用于制备多孔纳米晶薄膜的二氧化钛具体指锐钛矿相二氧化钛。
有机太阳电池中电离电势（IP）较小的材料被称为电子施主（Donor，简称D型材料），相当于无机半导体中的P型材料。
在150～200℃热处理，可以使得因为S-W效应而效率降低的非晶硅太阳电池恢复原来的状态。
在合适的热处理条件下，非晶硅可以转化为多晶硅、微晶硅和纳米硅。
PECVD技术即可用于非晶硅薄膜太阳电池的制备，也可用于多晶硅薄膜太阳电池的制备。
将太阳电池与其禁带宽度一一对应。
（1）非晶硅 一一[[1]]
（2）铜铟镓硒 一一[[2]]
（3）碲化镉 一一[[3]][[1]] -> {A. 1.5eV / B. 1.04eV / C. 1.45eV}
将太阳电池与转换效率一一对应。
（1）单晶硅太阳电池 一一[[2]]
（2）非晶硅薄膜太阳电池 一一[[3]]
（3）有机太阳电池 一一[[1]][[1]] -> {A. 5.15 / B. 25 / C. 9.5}
将以下太阳电池与其特点一一对应。
（1）非晶硅 一一[[2]]
（2）多孔纳米晶 一一[[3]]
（3）铜铟镓硒 一一[[1]][[1]] -> {A. 吸收系数的最值 / B. PECVD / C. 锐钛矿}
非晶硅晶化制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应
（1）固相晶化 一一[[3]]
（2）激光晶化 一一[[2]]
（3）快速热处理晶化 一一[[1]][[1]] -> {A. 晶粒尺寸严重影响了多晶硅的性能 / B. 设备复杂、生产成本高，难以实现大规模工业应用 / C. 会引进金属杂质，这些金属对半导体硅的电学性能也将产生致命影响}
将PECVD是充入气体与形成的半导体类型一一对应。
（1）SiH4 一一[[1]]
（2）SiH4加PH3 一一[[2]]
（3）SiH4加B2H6 一一[[3]][[1]] -> {A. 本征 / B. n型 / C. p型}
将化学气相沉积直接制备多晶硅薄膜方法与描述一一对应。
（1）等离子增强化学气相沉积 一一[[3]]
（2）低压化学气相沉积 一一[[2]]
（3）热丝化学气相沉积 一一[[1]][[1]] -> {A. 薄膜生长速率高，薄膜结构均匀，一致性高，载流子迁移率高 / B. 内部含有高密度的微孪晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大 / C. 采用卤硅化合物（如SiF4）或者是硅烷和卤硅化合物的混合气体}
将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。
（1）旋转涂层法一一[[3]]
（2）有机气相沉积法一一[[2]]
（3）丝网印刷技术一一[[1]][[1]] -> {A. 是有机太阳电池具有低成本和高生产率的主要原因 / B. 可得到有机材料和金属电极材料良好接触的界面，减少界面处的截流子流过的损耗，提高了转换效率 / C. 所采用的主要设备为匀胶机}
将以下太阳电池与其特点一一对应。
（1）有机半导体薄膜一一[[1]]
（2）染料敏化太阳电池一一[[3]]
（3）多晶硅薄膜一一[[2]][[1]] -> {A. 的层状三明治叠层结构 / B. 无光致衰减，低成本、制备简单和可以大面积制备 / C.良好装饰效果}
将有机小分子化合物与描述一一对应。
（1）酞菁类化合物一一[[1]]
（2）苝衍生物一一[[3]]
（3）并五苯一一[[2]][[1]] -> {A. 耐热性非常好，在400℃以下比较稳定 / B. 最大的不足之处在于比较脆 / C. 既具有很高的化学稳定性和耐有机溶剂性，又具有很强的刚性}
将以下太阳电池与其特点一一对应。
（1）晶体硅 一一[[3]]
（2）非晶硅薄膜 一一[[1]]
（3）碲化镉 一一[[2]][[1]] -> {A. 很明显的光致衰减 / B. 与蓄电池共有同种金属元素 / C. 块体}
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